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      漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      驱动电压（yā）(V)：

      10

      通道极性：

      N沟（gōu）道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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